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這個項目投產(chǎn),為長沙產(chǎn)業(yè)注入強“芯”劑

長沙晚報掌上長沙6月23日訊(全媒體記者 陳煥明 通訊員 王麗 楊灝)歷時11個月建設期,最高峰時1500多人同步施工作業(yè),,23日,,總建筑面積22.2萬平方米的湖南三安半導體產(chǎn)業(yè)園項目竣工點亮儀式順利舉行,這標志著湖南首個第三代半導體產(chǎn)業(yè)園落成,,國內(nèi)首條碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)線正式投產(chǎn),。

記者了解到,項目一期主要包含碳化硅長晶,、襯底,、外延、芯片,、器件封裝等廠房及相關配套設施建設,,將成為推動湖南新一代半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的強大動力。作為長沙產(chǎn)業(yè)鏈上的一顆“新星”,,湖南三安半導體產(chǎn)業(yè)園項目蘊藏著怎樣的奧秘,?記者23日走進該項目一探究竟。

6月23日,,湖南三安半導體項目竣工點亮儀式順利舉行,,這標志著湖南首個第三代半導體產(chǎn)業(yè)園正式落成。長沙晚報全媒體記者 陳煥明 通訊員 王麗 楊灝 攝影報道

潔凈等級標準領先于行業(yè)

“為了滿足半導體制造工藝需求,,生產(chǎn)車間必須達到潔凈車間的標準,。”項目施工方、中建五局三公司項目執(zhí)行經(jīng)理周祥告訴記者,,潔凈車間是指將一定空間范圍之內(nèi)空氣中的有害空氣,、微粒子、細菌等污染物排除,,并將室內(nèi)壓力,、潔凈度、溫度,、氣流速度與氣流分布,、照明及噪音振動、靜電控制在某一需求范圍內(nèi),,而所給予特別設計的空間,。

周祥進一步解釋,潔凈標準一般按照一級,、十級,、百級、千級,、萬級,、十萬級、三十萬級等劃分,,數(shù)值越小,代表凈化級別越高,?!捌胀ü矆鏊鶜⒕究蓞⒄杖f級標準,醫(yī)院ICU病房殺菌消毒參照十萬級標準,,而湖南三安半導體產(chǎn)業(yè)園項目半導體電子生產(chǎn)廠房M2B碳化硅芯片廠房為百級標準,,每立方英尺的空氣中大于等于0.5微米粒徑的粒子數(shù)量不超過100個,潔凈等級標準上遠遠領先于行業(yè),?!?/p>

為了保證無塵潔凈室大面積生產(chǎn)車間的空氣潔凈度,需要建立潔凈空調(diào)通風系統(tǒng),,車間樓板中需預留大量規(guī)則的圓柱形垂直孔洞,,以形成回風通道。這種利用樓板內(nèi)孔洞形成回風通道的樓板結(jié)構稱為華夫板,,是一種鋼筋混凝土密肋梁鏤空樓板,,此類樓板厚度可達700毫米。

將為長沙產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強“芯”劑

第三代半導體材料以其優(yōu)異電性能特性,,幫助電源變換系統(tǒng)實現(xiàn)優(yōu)異的功率密度和卓越的系統(tǒng)效率,,使其在新能源汽車、光儲充等場景中發(fā)揮關鍵作用,。湖南三安半導體產(chǎn)業(yè)園全面建成投產(chǎn)后,,將形成兩條并行的碳化硅研發(fā),、生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)線,產(chǎn)品為高質(zhì)量,、低成本,、高穩(wěn)定性碳化硅襯底及各類器件,可廣泛用于新能源汽車,、高鐵機車,、航空航天和5G通訊等領域。

三安光電股份有限公司副董事長,、總經(jīng)理林科闖表示,,湖南三安半導體的業(yè)務涵蓋襯底材料、外延生長,、晶圓制造及封裝測試等環(huán)節(jié),,打造了國內(nèi)第一條、全球第三條碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈,,為客戶提供高品質(zhì)準時交付,,兼具規(guī)模化生產(chǎn)成本優(yōu)勢,。

湖南三安半導體產(chǎn)業(yè)園的投產(chǎn),,將為長沙注入強“芯”劑,憑借完整的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局和強大的制造平臺,,項目將快速發(fā)展為具有自主知識產(chǎn)權,、掌握核心技術與行業(yè)話語權、具有重要國際影響的碳化硅材料與器件產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地,。有利于形成以長沙高新區(qū)為中心的寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)聚落,,加速上游IC設計公司設計與驗證迭代,縮短下游終端產(chǎn)品上市周期,,推動產(chǎn)業(yè)鏈迅速發(fā)展,。

據(jù)介紹,湖南三安半導體產(chǎn)業(yè)園項目總投資160億元,,總占地面積1000畝,,項目建成達產(chǎn)后,預計可實現(xiàn)年產(chǎn)值120億元,,可直接提供4500個就業(yè)崗位,,并帶動上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預計超1000億元,提供近1萬個就業(yè)崗位,。

【作者:陳煥明】 【編輯:李春璞】
關鍵詞:產(chǎn)業(yè)項目 第三代半導體
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